SiCパワーデバイス開発エンジニア [54151]
- 採用企業名
- ルネサス エレクトロニクス株式会社
- 職種
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技術系(機械設計・製造技術) - 商品企画・商品開発(技術系)
技術系(機械設計・製造技術) - LSI・IC・メモリ設計
技術系(機械設計・製造技術) - 電子デバイス研究開発
- 雇用形態
- 無期雇用
- 勤務地
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愛媛県 群馬県 茨城県 山梨県
- 仕事内容
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【職務内容】...
●パワーデバイス・プロセス開発
・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築
・要素プロセス技術(ウエハプロセス、裏面プロセ
- 求める経験
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■Must要件...
・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 3年以上
(半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験)
■Want要件
・パワーデバイス(IGBT,パワーMOS(Si,SiC),FR
- 年収
- 500万円 - 1000万円
- 語学力
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英語力:中級以上英語:ビジネス会話ができる (TOEIC 700点程度)
日本語:ビジネス会話ができる