【山梨】1.高周波デバイス、増幅器開発、および高周波パッケージ開発 2.半導体ウエハプロセス開発者 3.半導体試験装置及びプログラム技術者 4.半導体レーザに関する製造技術業務 5.【山梨または横浜】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術業務
- 求人番号
- NJB2287127
- 採用企業名
- 大手電線メーカー
- 職種
-
技術系(機械設計・製造技術) - 弱電回路設計
技術系(機械設計・製造技術) - 強電・計装設計
技術系(機械設計・製造技術) - 組み込み・制御系
技術系(機械設計・製造技術) - LSI・IC・メモリ設計
技術系(機械設計・製造技術) - 電子デバイス研究開発
技術系(機械設計・製造技術) - パッケージ開発
技術系(機械設計・製造技術) - プロセスエンジニア(半導体)
技術系(機械設計・製造技術) - 機械設計・機構設計・筐体設計・メカトロ設計・装置設計
技術系(機械設計・製造技術) - 光学設計(レンズ設計・鏡筒設計など)
技術系(機械設計・製造技術) - 化学(研究・開発・分析)
技術系(機械設計・製造技術) - 製造技術・生産技術(電気・PLC制御)
技術系(機械設計・製造技術) - 電気(研究,技術開発,分析)
- 雇用形態
- 無期雇用
- 勤務地
-
山梨県
- 仕事内容
-
1.高周波デバイス、増幅器開発、および高周波パッケージ開発
①携帯電話基地局向けGaN-HEMTを用いたデバイス、増幅器設計開発
②顧客向けドハティ増幅器の設計開発
③高周波シミュレータADS, MWOを用いた設計、解析
④試作品の高周波特性、信頼性評価
⑤高周波パッケージ開発、および生産技術
⑥パッケージ技術開発、試作、製造立上
⑦製造工程の問題に対する改善検討
*保有スキルにより業務を振り分け可能。
2.半導体ウエハプロセス開発者
①GaN HEMTのウエハプロセス開発。
②多層配線(電極材料、層間絶縁膜、平坦化)技術開発。
③放熱・実装に関するプロセス開発(基板研削、ビアやチップ分離加工、
裏面金属形成等の加工技術)
④受動素子(キャパシタ、インダクタ、抵抗)形成プロセス開発
*保有スキルにより業務を振り分け可能。
3.半導体試験装置及びプログラム技術者
①半導体デバイスの電気特性試験のためのオンウエハ試験系・プローブカード・プログラ
ム等の設計
②半導体デバイスの電気特性試験系の機能や処理能力向上のための改良、機器選定と導入
4.半導体レーザに関する製造技術業務
・半導体レーザの個片化、端面膜加工、素子検査に関する製造技術担当
(新製品開発、新規プロセス技術開発等、研究・開発業務は対象外)
5.【山梨または横浜】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術業務
・化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術担当
(新製品開発、新規プロセス技術開発等、研究・開発業務は対象外)
- 求める経験
年齢制限の理由 -
1.高周波デバイス、増幅器開発、および高周波パッケージ開発
■必須要件
①下記の中のいずれかのご経験があること
・高周波、高出力増幅器の設計開発経験
・高周波(GHzオーダー)RF測定スキル
・高周波シミュレータADS、MWOを使った設計経験、電磁界解析経験
・高周波、高出力トランジスタ用パッケージ開発経験、または製造技術経験
・パッケージ製造装置の選定/導入/立上げ経験
・CAD等による作図経験
・機構部品の信頼性試験、解析
②語学力(英語/その他言語等)
・TOEIC 500点以上または同等の英会話能力を保有。
2.半導体ウエハプロセス開発者
■必須要件
①下記の中のいずれかのご経験があること
・各種半導体ウェーハプロセス研究・開発経験者
・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者
・ステッパー、ドライエッチャー、CVDなどを用いたウエハプロセス実務経験者
・高周波増幅器(GHzオーダ)のRF測定スキル・電磁界解析による設計スキル
②語学力(英語/その他言語等)
・TOEIC 500点以上、または同等の英会話能力
3.半導体試験装置及びプログラム技術者
■必須要件
①下記の中のいずれかのご経験があること
・半導体試験装置の選定/導入/立上げ経験者
・半導体のDC,RF測定の実務経験者
・半導体集積回路、電気回路設計の実務経験者
・半導体工学、電気電子工学、電気制御工学、材料物性のいずれかの履修者
4.半導体レーザに関する製造技術業務
■必須要件
①募集職種に対して3年以上の実務経験があり、かつ、直近1年間以上の
他業務での空白期間がないこと
②半導体ウェハの個片化加工、個片化素子の特性検査、個片化素子外観
検査、誘電体多層膜成膜等のユニットプロセスの全てまたはいずれか
に関するスキルをお持ちの方
■歓迎要件
③TOEIC 600点以上、または同等の英会話能力のある方
5.【山梨または横浜】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術業務
■必須要件
①募集職種に対して3年以上の実務経験があり、かつ、直近1年間以上
他業務等で空白期間がないこと
②MOVPE装置を使用した化合物半導体エピタキシャル成長技術および関
連する半導体プロセス技術に関するスキルをお持ちの方
■歓迎要件
③TOEIC 600点以上、または同等の英会話能力のある方
■職種未経験者:不可
- 年収
- 480万円 - 1200万円
- 受動喫煙対策
- 就業場所 原則禁煙(分煙)
- 受動喫煙対策詳細