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■FY23決算説明会資料
https://micro.rohm.com/jp/financial/account/2403_03268315_presentation_jp.pdf?_gl=1*1m90m41*_ga*NDEzMzUwODI2LjE2ODAyNDE1NDM.*_ga_FGEEFMR2B3*MTcxNTY3MDM0NC41Ny4xLjE3MTU2NzAzNTYuNDguMC4w
※P19～P22のSiCを中心としたパワーデバイス事業のスライドをご覧ください

パワーデバイスの市場規模は2023年の3兆1739億円に対し2035年は7兆7757億円規模になり、またこのうちSiC（炭化ケイ素）など次世代パワー半導体の構成比率が2035年に約45％まで高まると予測されています。ローム社は2010年に世界初のSiC-MOSFETおよび日本初のSiCダイオード、2012年には世界初のフルSiCパワーモジュールを量産開始するなどリードカンパニーとして業界を牽引してきました。中期経営計画（FY21～FY25）では政府補助金含め成長投資として7,000憶円を用意し、SiCパワーデバイスの生産能力を2025年度には21年度対比で6.5倍、2030年度には21年度比で35倍を目指しています。

■所属組織
パワーデバイス事業本部　SiC生産統括　SiCWP技術部　SiCWP技術2課 デバイス技術グループ
※参考
・note 各事業所での働き方
https://note.com/rohm_recruting/
■配属部署のミッション
SiCのサブストレート（基板）、エピタキシャル膜、デバイスの製造を統括する部門に属し、デバイス前工程製造の生産能力向上に取り組む課として、生産能力の向上・拡大に向けて工場エンジニアと共に推進・旗振りをしています。デバイス技術グループでは、移設展開・インチアップにおいて、設計部門からのデバイス特性・設計クライテリアの成立と量産歩留向上に向けた活動を推進しています。
■仕事内容
SiCデバイス製造工程のデバイスインテグレーション
・BCP対応による製品ラインの移設展開評価
・製品歩留、工程欠陥の低減評価
・8インチデバイス製造ラインの立上げ評価
■同社ポジションの魅力
若いメンバーも多く、非常に活気にあふれた職場環境です。また技術の進化や生産性などの改善による効果が非常に大きいため積極的にチャレンジできる環境です。同部門はSiCのサブストレート（基板）、エピタキシャル膜、デバイス前工程の横串部門で、工場と事業部の間を取り持ち品質改善や歩留まり改善を行っております。半導体の前工程の様々なプロセスに携わることが可能な為、技術をもっと深掘りしていく、幅広い経験を積みジェネラリストを目指す、などご本人の興味に合わせてキャリアを選択できる環境があります。

■休日：完全週休二日制, 土, 日, 祝日, GW, 夏季休暇, 年末年始

※下記はリーダークラス採用での必須条件です
■必須
・半導体前工程のデバイスインテグレーション経験
・半導体前工程の工程欠陥改善経験
■歓迎
・パワーデバイスの設計・開発経験
・デバイスラインの立上げ経験
・プロセス開発経験
■求める人物像
・困難な状況でも、あきらめずやり遂げることができる人物
・課題に対して論理的に考え、打開策を見出し進めることができる人物
・関係部署との連携により業務を推進できる人物

■職種未経験者：不可