SiC/IGBT Power Device Process Integration Expert
- 求人番号
- NJB2224782
- 採用企業名
- 外資系デバイスメーカー
- 職種
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技術系(機械設計・製造技術) - 電子デバイス研究開発
- 雇用形態
- 無期雇用
- 勤務地
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大阪府
- 仕事内容
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・SiC/IGBTパワー半導体プロセスインテグレーション構築を担当していただきます。
・部分工程であるプロセスモジュールインテグレーションの構築を進めていただきます。
・業界に先んじて最先端、高性能かつ高信頼な競争力の高いパワーデバイスの研究開発にプロセスインテグレーターとして貢献していただきます。
・最新のパワー半導体製造プロセスを調査・研究し、開発テーマを提案していただきます。
・プロセス設備導入に際して、設備選定等に助言をいただきます。
・革新的で競争力のあるプロセスプラットフォームを構築していただきます。
■休日:完全週休二日制, 土, 日, 夏季休暇, 年末年始
- 求める経験
年齢制限の理由 -
・おおよそ20年以上の半導体またはそのプロセス技術の研究・開発・製造における経験を持ち、SiC/IGBTプロセスインテグレーション開発業務に精通している。
・プロセスシミュレータに精通し、高性能SiC/IGBTパワー半導体プロセス開発を推進できる。
・半導体新工場の建設、設備選定、導入などのプロセスに精通している。
・半導体プロセス技術開発、プロセス設備開発、プロセス設備選定、開発ラインまたは生産ライン立ち上げ経験などの経験を持つ。
・生産現場における技術的ボトルネック改善や良品率向上などの課題解決の経験を持つ。
・最新のSiC/IGBTパワー半導体プロセス技術に詳しく、学会や業界に対し広い人脈を持つ。
・優れた学習能力、問題解決能力、コミュニケーション能力、職業倫理及びチームワーク精神を持っていること。
・海外出張に対応可能であること。基本的な英語のコミュニケーション能力とリーディング、ライティングスキルを有すること。
■職種未経験者:不可
- 年収
- 1000万円 - 2000万円
- 語学力
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英語力:中級以上英語と日本語でコミュニケーションが取れる方だと尚良い/日中通訳がおります。
- 受動喫煙対策
- 就業場所 全面禁煙
- 受動喫煙対策詳細