技術系（機械設計・製造技術） - 電子デバイス研究開発

・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)のデザイン開発とテスト検証を担当し、プロセスチームと協力してデバイス加工とプロセスの最適化を行う。
・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)の個別技術をフォローアップし、既存のデバイスの性能を向上させ、パテントポートフォリオを提案して実現させる。

■休日：完全週休二日制, 土, 日, 夏季休暇, 年末年始

必須要件
・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、5年以上のパワーデバイスのデザイン開発経験(直近の3年間には関連のデザイン開発の従事が必須)、または優秀な博士課程の新卒者。
・パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)の基本構造とデバイスシミュレーションデザイン方法に精通し、TCADソフトやレイアウトソフトを使用しデバイスデザインが得意な方。
・良好なコミュニケーション能力があり、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。

■職種未経験者：不可