ログアウト

ログアウトしますか?

ログアウト

閉じる

求人情報詳細

パワーデバイス アプリケーションエンジニア [54609]

求人番号
NJB2196414
採用企業名
ルネサス エレクトロニクス株式会社
職種

技術系(機械設計・製造技術) - 商品企画・商品開発(技術系)
技術系(機械設計・製造技術) - アプリケーションエンジニア

雇用形態
無期雇用
勤務地
群馬県
仕事内容

【対象製品】
パワーデバイス全般:MOSFET / IGBT / FRD

【主担当業務】
・車載および産業用パワーデバイスの製品仕様設計、顧客サポート
・顧客要求仕様に基づいた製品仕様の立案
・製品の特性評価・検証
・顧客資料作成(技術資料、PCN、PPAP等)及び顧客サポート(シミュレーション技術活用含む)
・新テスティング技術開発及び新測定準備の導入(半導体テスター)

【魅力】
ルネサスは「人々の暮らしを楽(ラク)にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な分野において、先進的な製品やソリューションを提供しています。当社の製品は、世界中の主要な電子機器メーカーに採用され、日々の暮らしに欠かせない身の回りのあらゆる電子機器に使用されています。
当社では世界25カ国の製造・開発・販売拠点において20,000人以上の従業員が働いています。グローバルチームとして、すべての従業員が、行動指針である「Renesas Culture」をもとに、互いに学習、協力、成長、目標に向けて前進しながら、日々さまざまな課題解決に取り組んでいます。
当社を取り巻く環境は近年の活発な大型M&Aを含めて、他に類を見ないほどダイナミックに動いています。今後もインフラやデータエコノミー関連の急成長市場でのシェア拡大や、産業/IoTや自動車分野でのプレゼンス強化を図ります。変化の激しい中、グローバルチームの一員として、私たちと一緒に持続可能な将来を築いていただける方をお待ちしています。


■休日:完全週休二日制, 土, 日, 祝日, 夏季休暇, 年末年始

求める経験
年齢制限の理由

(1)Must要件
・パワーデバイス(IGBT,FRD,MOSFET)の設計/開発/評価の業務経験 (3年以上)
・パワーデバイス(IGBT,FRD,MOSFET)の基礎知識

(2)Want要件
・パワーデバイス(IGBT,FRD,MOSFET)の設計/開発/評価の業務経験 (5年以上)
・デバイスシミュレーション基礎知識、経験
・市場、アプリケーションの基礎知識・プロセスインテグレーション
・化合物半導体(SiC,GaNなど)の基礎知識

(3)語学力
・英語:読み書きができる
・日本語:ビジネス会話ができる


■職種未経験者:不可

年収
600万円 - 850万円
語学力
英語力:初級以上
・英語力:日常会話レベル
・日本語:ビジネスレベル
受動喫煙対策
就業場所 原則禁煙(分煙)
受動喫煙対策詳細

サービスお申込み後、
求人エントリが可能に。

MyPageから求人エントリいただけます。
また、転職コンサルタントがあなたに合った非公開求人も含めたハイクラス求人をお探しいたします。