SiCエピタキシャル成長プロセス開発エンジニア [53044]
- 求人番号
- NJB2133826
- 採用企業名
- 大手半導体デバイスメーカー
- 職種
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技術系（機械設計・製造技術） - プロセスエンジニア（半導体）
- 雇用形態
- 無期雇用
- 勤務地
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愛媛県 群馬県 茨城県
- 仕事内容
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【担当技術】
SiCエピタキシャル成長プロセス開発エンジニア
【担当業務】
SiCエピタキシャル成長装置立ち上げ、プロセス条件出し、量産化
【担当職場】
自社前工程国内拠点
■休日：完全週休二日制, 土, 日, 祝日, 夏季休暇, 年末年始
- 求める経験
年齢制限の理由 -
【MUST】
SiCエピタキシャル成長プロセス開発の従事経験が2年以上あること。
【WANT】
4年制大学または大学院にて工学、化学、物理学等を修了していること。
■職種未経験者：不可
- 年収
- 800万円 - 900万円
- 語学力
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英語力：中級以上■英語：ビジネス会話ができる (TOEIC 700点程度)
■日本語：ビジネス会話ができる
- 受動喫煙対策
- 就業場所 全面禁煙
- 受動喫煙対策詳細
- 敷地内禁煙（屋外に喫煙場所設置）