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溶液法によって成長されたSiCインゴットを外周研削～エピレディウェハまで仕上げる量産加工プロセスの開発・プロジェクトマネジメントを主で担って頂きます。

（背景）
同社はNEDO公募の「グリーンイノベーション基金事業／次世代デジタルインフラの構築」プロジェクトのうち、「次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発」テーマに、合計6社によるコンソーシアムで採択されました。
このうち「SiCウェハの加工・評価技術の開発」を同社が担当し、大口径SiC ウェハの大量生産を可能とするために、下記をメインに実施致します。

①大口径SiC ウェハ用ラインの開発
②ウェハ加工工数の削減（加工条件の最適化や切断工程を中心とする加工精度向上、切断条件の最適化、研磨材の開発）
③溶液法におけるSiC 結晶の評価技術の確立、を行って量産製造プロセス構築に必要な技術開発

※弊社ではSiCをはじめとするいわゆる難削材の受託加工実績が数多くあり、上記開発の基本的な知見は有しておりますが、今回のような大規模な国家プロジェクトを受託するのは初めてであり、そのマネージメントを遂行できる人材が不足していることが、このような依頼の背景です。

※NEDO公募の「グリーンイノベーション基金事業／次世代デジタルインフラの構築」プロジェクトについては下記URL参照
(https://www.nedo.go.jp/news/press/AA5_101513.html)

※プロジェクトの業務期間は2024年3月31日迄。上記基金では、2023年度末にステージゲートが設定されており、通過すれば2030年度まで継続の見込みです。プロジェクトが終了しても基本的に同社の開発職として勤務頂く予定です。

■休日：完全週休二日制, 土, 日, 祝日, 夏季休暇, 年末年始

（必須条件）
・ウエハ加工の知見のある方

（歓迎条件）
・SiC等化合物半導体結晶、高脆材料の加工開発経験のある方
・ 単結晶材料の切断もしくはラップもしくは研磨の開発経験のある方

■職種未経験者：不可