化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア（GaNパワー）
- 求人番号
- NJB2116636
- 採用企業名
- 大手半導体メーカー
- 職種
-
技術系（機械設計・製造技術） - 商品企画・商品開発（技術系）
技術系（機械設計・製造技術） - 電子デバイス研究開発
技術系（機械設計・製造技術） - プロセスエンジニア（半導体）
- 雇用形態
- 無期雇用
- 勤務地
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兵庫県 神奈川県
- 仕事内容
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【業務内容】
化合物 パワーデバイス（主にGaN)の製品開発・デバイス設計・プロセス・エピ技術開発
【参考リンク】
・スペシャルインタビュー～あなたのキャリアが世界を変える～
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/recruit/work/message_special.html
・パワー半導体技術広告
https://www.youtube.com/watch?v=11SWvEWe4lQ
■休日：完全週休二日制, 土, 日, 祝日, 夏季休暇, 年末年始
- 求める経験
年齢制限の理由 -
【必須】
・デバイス設計／プロセス技術／生産技術／歩留改善／パッケージ技術／材料開発／品質保証／評価・解析／製品テスト（いずれかの経験）
【尚可】
①デバイス開発（川崎）
・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。特に化合物半導体に関する知識をお持ちの方は歓迎します
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方
②プロセス開発（姫路／川崎）
・半導体のプロセス・インテグレーション開発に従事した経験をお持ちの方
・半導体ウェハー、エピプロセス、装置開発に従事した経験をお持ちの方
※（）内は想定勤務地
※上記の必須・尚可条件は担当～課長クラス共通の要件となります。
■職種未経験者：不可
- 年収
- 450万円 - 1000万円
- 語学力
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英語力：初級以上
- 受動喫煙対策
- 就業場所 原則禁煙（分煙）
- 受動喫煙対策詳細