結晶成長エンジニア
- 求人番号
- NJB2089464
- 採用企業名
- 非公開
- 職種
-
技術系(機械設計・製造技術) - 電子デバイス研究開発
技術系(機械設計・製造技術) - プロセスエンジニア(半導体)
技術系(機械設計・製造技術) - 評価・試験・分析・解析(CAE)
- 雇用形態
- 無期雇用
- 勤務地
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京都府
- 仕事内容
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【業務概要】
研究開発部門又は生産技術部門にて下記のような業務をご経験に応じてお任せします。
【業務内容】
・ワイドバンドギャップを有する酸化ガリウムエピ膜の開発(問題点の特定・条件の改善提案等)
・エピ膜を用いたパワーデバイスの試作評価およびデバイスの改善
・酸化ガリウム半導体デバイスの研究開発・試作
・測定データの解析、特性評価、不具合解析
・量産移管、装置開発など
※ご経験に応じてお任せします。
■休日:完全週休二日制
- 求める経験
年齢制限の理由 -
【必須条件】 ※下記いずれかのご経験をお持ちの方
・化学、物理、応用物理、電気・電子を専攻または同等の知見
【歓迎条件】
・新規材料の初期段階の研究開発や量産移管経験
・結晶成長および結晶欠陥の評価経験
・パワーデバイスや酸化物半導体の設計・試作経験
・ワイドバンドギャップ半導体のデバイス化経験
・成膜装置等の装置開発の経験
■職種未経験者:不可
- 年収
- 400万円 - 700万円
- 語学力
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英語力:不問語学力:不問
- 受動喫煙対策
- 就業場所 原則禁煙(分煙)
- 受動喫煙対策詳細