・電気化学に関する職務経歴5年以上
・シリコン系負極の材料,電極開発の経験またはシリコン系負極電池の設計の経験5年以上
・材料分析，電池劣化分析を自分で行うことができる。
・小スケールの電池(コインセル,単層ラミネートセル)をスラリー作製,塗工からセル組み立てをすべて自分で行うことができる。
・TOEIC650点以上または英語での資料作成や議論に支障がない英語力

【歓迎（WANT）】

・信頼性工学,品質工学,多変量解析,加速試験方法の構築の経験
・日常会話レベル,簡単な読み書きレベルの中国語

■職種未経験者：不可

・おおよそ20年以上の半導体またはそのプロセス技術の研究・開発・製造における経験を持ち、SiC/IGBTプロセスインテグレーション開発業務に精通している。
・プロセスシミュレータに精通し、高性能SiC/IGBTパワー半導体プロセス開発を推進できる。
・半導体新工場の建設、設備選定、導入などのプロセスに精通している。
・半導体プロセス技術開発、プロセス設備開発、プロセス設備選定、開発ラインまたは生産ライン立ち上げ経験などの経験を持つ。
・生産現場における技術的ボトルネック改善や良品率向上などの課題解決の経験を持つ。
・最新のSiC/IGBTパワー半導体プロセス技術に詳しく、学会や業界に対し広い人脈を持つ。
・優れた学習能力、問題解決能力、コミュニケーション能力、職業倫理及びチームワーク精神を持っていること。
・海外出張に対応可能であること。基本的な英語のコミュニケーション能力とリーディング、ライティングスキルを有すること。

■職種未経験者：不可

必須要件
・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、5年以上のパワーデバイスのデザイン開発経験(直近の3年間には関連のデザイン開発の従事が必須)、または優秀な博士課程の新卒者。
・パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)の基本構造とデバイスシミュレーションデザイン方法に精通し、TCADソフトやレイアウトソフトを使用しデバイスデザインが得意な方。
・良好なコミュニケーション能力があり、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。

■職種未経験者：不可