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求人情報詳細

化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア(SiC)

求人番号
NJB2116632
採用企業名
大手半導体メーカー
職種

技術系(機械設計・製造技術) - 商品企画・商品開発(技術系)
技術系(機械設計・製造技術) - 電子デバイス研究開発
技術系(機械設計・製造技術) - プロセスエンジニア(半導体)

雇用形態
無期雇用
勤務地
兵庫県
仕事内容

【業務内容】
パワーデバイス(主にSiC)の製品開発・デバイス設計・プロセス・エピ技術・装置開発

■製品開発
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務

■プロセス開発
・SiCデバイスのプロセスインテグレーション
・SiCデバイスのユニットプロセス開発
・SiCのエピプロセス,装置開発

【参考リンク】
・スペシャルインタビュー~あなたのキャリアが世界を変える~
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/recruit/work/message_special.html

・パワー半導体技術広告
https://www.youtube.com/watch?v=11SWvEWe4lQ


■休日:完全週休二日制, 土, 日, 祝日, 夏季休暇, 年末年始

求める経験
年齢制限の理由

【必須】
・製品開発/プロセス開発/生産技術/歩留改善/パッケージ技術/材料開発/品質保証/評価・解析/製品テスト(いずれかの経験)
・デバイス開発は、パワーデバイス(SiC等)のチップ設計、開発に従事された経験のある方
【尚可】
①デバイス開発
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方
②プロセス開発
・半導体デバイスメーカでプロセスインテグレーション、あるいはユニットプロセス開発に従事された経験のある方
・半導体製造装置メーカで装置開発、あるいはプロセス開発に従事された経験のある方
・半導体ウェハメーカでプロセス開発(特にエピタキシャル成長プロセス)または装置開発に従事された経験のある方


■職種未経験者:不可

年収
450万円 - 1000万円
語学力
英語力:初級以上
受動喫煙対策
就業場所 原則禁煙(分煙)
受動喫煙対策詳細

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